창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRLML2502GTRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRLML2502GPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 13/Mar/2015 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 4.2A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 740pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | Micro3™/SOT-23 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | IRLML2502GTRPBFTR SP001558826 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRLML2502GTRPBF | |
| 관련 링크 | IRLML2502, IRLML2502GTRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 2070.0019.24 | FUSE BOARD MNT 2A 250VAC/VDC SMD | 2070.0019.24.pdf | |
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![]() | EFM205-T | EFM205-T RECTRON SMB DO-214AA | EFM205-T.pdf | |
![]() | KA7821ETU | KA7821ETU ORIGINAL TO-220 | KA7821ETU.pdf | |
![]() | MAP-261K | MAP-261K MPUISE SMD or Through Hole | MAP-261K.pdf | |
![]() | BZX84C3V0LT1(3.0V) | BZX84C3V0LT1(3.0V) MOTOROLA SMD or Through Hole | BZX84C3V0LT1(3.0V).pdf | |
![]() | MPS9626H | MPS9626H MOTOROLA SMD or Through Hole | MPS9626H.pdf | |
![]() | 1N3879M | 1N3879M IR SMD or Through Hole | 1N3879M.pdf | |
![]() | ECEA1VFS471 | ECEA1VFS471 PANASONIC DIP | ECEA1VFS471.pdf |