Infineon Technologies IRLML0060TRPBF

IRLML0060TRPBF
제조업체 부품 번호
IRLML0060TRPBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-23-3
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IRLML0060TRPBF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IRLML0060TRPBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRLML0060TRPBF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
설계 리소스IRLML0060TRPBF Saber Model
IRLML0060TRPBF Spice Model
PCN 조립/원산지Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Assembly Site Addition 13/Mar/2015
Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
카탈로그 페이지 1518 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs92m옴 @ 2.7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 25µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.5nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds290pF @ 25V
전력 - 최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지Micro3™/SOT-23
표준 포장 3,000
다른 이름IRLML0060TRPBFTR
SP001568948
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRLML0060TRPBF
관련 링크IRLML006, IRLML0060TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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