창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLL110PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLL110 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | SOT-223 Tube Package 02/Jul/2015 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 900mA, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 80 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLL110PBF | |
관련 링크 | IRLL11, IRLL110PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | VJ1206A360KBAAT4X | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A360KBAAT4X.pdf | |
![]() | KP1836310205 | 10000pF Film Capacitor 600V 2000V (2kV) Polypropylene (PP) Radial 1.240" L x 0.453" W (31.50mm x 11.50mm) | KP1836310205.pdf | |
![]() | RCP1206W39R0JEB | RES SMD 39 OHM 5% 11W 1206 | RCP1206W39R0JEB.pdf | |
![]() | RNF14FAD10R7-1K | RES 10.7 OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FAD10R7-1K.pdf | |
![]() | H8237KBZA | RES 237K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H8237KBZA.pdf | |
![]() | AT2504 | AT2504 AT SOP | AT2504.pdf | |
![]() | F54LS09DM | F54LS09DM FSC DIP14 | F54LS09DM.pdf | |
![]() | MDC100-08-2 | MDC100-08-2 GUERTE SMD or Through Hole | MDC100-08-2.pdf | |
![]() | MAX8060617-25+T | MAX8060617-25+T MAXIM QFN | MAX8060617-25+T.pdf | |
![]() | TDFM1B-1747O-11P | TDFM1B-1747O-11P ORIGINAL SMD or Through Hole | TDFM1B-1747O-11P.pdf | |
![]() | CY187-35 | CY187-35 CYPRESS DIP | CY187-35.pdf |