창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRLH5034TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRLH5034PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PQFN 5x6 RoHS Compliance | |
설계 리소스 | IRLH5034TR2PBF Saber Model IRLH5034TR2PBF Spice Model | |
주요제품 | Solutions for Embedded Systems | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 23/Jul/2014 Product Assembly Notification 10/Feb/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 150µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 82nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4730pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.6W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
공급 장치 패키지 | PQFN(5x6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SP001552652 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRLH5034TRPBF | |
관련 링크 | IRLH503, IRLH5034TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | UB8BT-E3/4W | DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB | UB8BT-E3/4W.pdf | |
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![]() | 1088-501 | 1088-501 ORIGINAL SOP | 1088-501.pdf | |
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![]() | C3216CH2A682J | C3216CH2A682J TDK SMD or Through Hole | C3216CH2A682J.pdf | |
![]() | 54F280A/BDA | 54F280A/BDA PHIL CFP | 54F280A/BDA.pdf | |
![]() | NLC565050T-2R2K(2.2UH) | NLC565050T-2R2K(2.2UH) TDK SMD or Through Hole | NLC565050T-2R2K(2.2UH).pdf | |
![]() | FH27-57S-0.4SH(61) | FH27-57S-0.4SH(61) HRS SMD or Through Hole | FH27-57S-0.4SH(61).pdf | |
![]() | FQP6N80==Fairchild | FQP6N80==Fairchild ORIGINAL TO-220 | FQP6N80==Fairchild.pdf |