창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL7472L1TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL7472L1TRPbF | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | StrongIRFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 375A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.59m옴 @ 195A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 330nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20082pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DirectFET™ 아이소메트릭 L8 | |
| 공급 장치 패키지 | DIRECTFET L8 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | IRL7472L1TRPBF-ND IRL7472L1TRPBFTR SP001558732 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL7472L1TRPBF | |
| 관련 링크 | IRL7472L, IRL7472L1TRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CGA1A2C0G1H2R2C030BA | 2.2pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CGA1A2C0G1H2R2C030BA.pdf | |
![]() | CQ0402ARNPO9BN1R8 | 1.8pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CQ0402ARNPO9BN1R8.pdf | |
![]() | BFC238350513 | 0.051µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | BFC238350513.pdf | |
![]() | DMP2200UDW-13 | MOSFET 2P-CH 20V 0.9A SOT363 | DMP2200UDW-13.pdf | |
![]() | M128I | M128I ORIGINAL SOP-8 | M128I.pdf | |
![]() | MA0414 | MA0414 MOT SMD or Through Hole | MA0414.pdf | |
![]() | S29GL256N11TFIV20 | S29GL256N11TFIV20 SPANSION TSOP | S29GL256N11TFIV20.pdf | |
![]() | GBD100505PGA481N | GBD100505PGA481N ORIGINAL 0402- | GBD100505PGA481N.pdf | |
![]() | S20.000 | S20.000 ORIGINAL SOP24.5mm11mm | S20.000.pdf | |
![]() | CDD100N18 | CDD100N18 CATELEC SMD or Through Hole | CDD100N18.pdf |