창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL640SPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL640S,SiHL640S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL640SPBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL640SPBF | |
| 관련 링크 | IRL640, IRL640SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9003AI-83-33EB-60.00000T | OSC XO 3.3V 60MHZ OE 0.25% | SIT9003AI-83-33EB-60.00000T.pdf | |
![]() | LM301BH/883 | LM301BH/883 NS CAN | LM301BH/883.pdf | |
![]() | G5BCJ | G5BCJ ORIGINAL MSSOP10 | G5BCJ.pdf | |
![]() | Z86L987HZ008SCR53FATR | Z86L987HZ008SCR53FATR ZIL SMD | Z86L987HZ008SCR53FATR.pdf | |
![]() | KTS9005C | KTS9005C ORIGINAL SOP24 | KTS9005C.pdf | |
![]() | C052C121K2G5CA | C052C121K2G5CA Kemet SMD or Through Hole | C052C121K2G5CA.pdf | |
![]() | 2SA1201-GR | 2SA1201-GR TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SA1201-GR.pdf | |
![]() | CS0603-4N3J | CS0603-4N3J CHILISIN/YAGEO 06034K | CS0603-4N3J.pdf | |
![]() | DS759940A | DS759940A HOSONI SMD or Through Hole | DS759940A.pdf | |
![]() | 215RSA4ALA12FG RS485 X1150 | 215RSA4ALA12FG RS485 X1150 ATI BGA | 215RSA4ALA12FG RS485 X1150.pdf | |
![]() | DT285N16 | DT285N16 EUPEC SMD or Through Hole | DT285N16.pdf | |
![]() | N681386YG | N681386YG ISD NA | N681386YG.pdf |