창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL640PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL640, SiHL640 Packaging Information | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1523 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL640PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL640PBF | |
| 관련 링크 | IRL64, IRL640PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | 08055A4R0BAT2A | 4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055A4R0BAT2A.pdf | |
![]() | CE3292-80.000 | 80MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 5V 60mA Enable/Disable | CE3292-80.000.pdf | |
![]() | VLS252012T-6R8MR66 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 660mA 612 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLS252012T-6R8MR66.pdf | |
![]() | RT0805FRD07523RL | RES SMD 523 OHM 1% 1/8W 0805 | RT0805FRD07523RL.pdf | |
![]() | MIC5205-25YM5TR | MIC5205-25YM5TR MICREL SOT-23 | MIC5205-25YM5TR.pdf | |
![]() | SI2301P | SI2301P ORIGINAL SMD or Through Hole | SI2301P.pdf | |
![]() | AX6603-49BA | AX6603-49BA AXELITE SMD or Through Hole | AX6603-49BA.pdf | |
![]() | MCH312FN106KK | MCH312FN106KK ROHM SMD | MCH312FN106KK.pdf | |
![]() | MCR03MZPFX34R0 | MCR03MZPFX34R0 ROHM SMD | MCR03MZPFX34R0.pdf | |
![]() | ISL6520ALBT | ISL6520ALBT INTERSIL SMD or Through Hole | ISL6520ALBT.pdf |