창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL630STRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL630S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 5.4A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL630STRLPBF | |
| 관련 링크 | IRL630S, IRL630STRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RG1005N-1132-B-T5 | RES SMD 11.3KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-1132-B-T5.pdf | |
![]() | SUT488J | SUT488J AUK SOT-363 | SUT488J.pdf | |
![]() | HN27C64G | HN27C64G HITJ DIP-28P( ) | HN27C64G.pdf | |
![]() | 08-0186-04+ | 08-0186-04+ NO BGA | 08-0186-04+.pdf | |
![]() | EL4581CSZ-T | EL4581CSZ-T ORIGINAL SMD or Through Hole | EL4581CSZ-T.pdf | |
![]() | ISD1510P | ISD1510P ORIGINAL COB | ISD1510P.pdf | |
![]() | 27C040-12 | 27C040-12 TI DIP | 27C040-12.pdf | |
![]() | TC75S57F/TD | TC75S57F/TD TOSHIBA SMD or Through Hole | TC75S57F/TD.pdf | |
![]() | M5M8255P-5 | M5M8255P-5 MIT DIP | M5M8255P-5.pdf | |
![]() | DT72105L50TP | DT72105L50TP IDT DIP | DT72105L50TP.pdf | |
![]() | DTC143TE F TL | DTC143TE F TL ROHM SOT23PB- | DTC143TE F TL.pdf |