창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL530STRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL530S,SiHL530S | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 9A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 28nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 930pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.7W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL530STRL | |
| 관련 링크 | IRL530, IRL530STRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | GTCN38-421M-Q10-FS | GDT 420V 20% 10KA FAIL SHORT | GTCN38-421M-Q10-FS.pdf | |
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![]() | USB0424C | USB0424C PTK SMD or Through Hole | USB0424C.pdf | |
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![]() | 74HCT08E | 74HCT08E HARRIS DIP | 74HCT08E.pdf | |
![]() | LC4032V-5TN-75I(PROG) | LC4032V-5TN-75I(PROG) LATTICE SMD or Through Hole | LC4032V-5TN-75I(PROG).pdf | |
![]() | DM74ALS648NT | DM74ALS648NT NS DIP24P | DM74ALS648NT.pdf | |
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![]() | HM16BTE103G | HM16BTE103G KOA SMD or Through Hole | HM16BTE103G.pdf | |
![]() | ICVN2112A250FR | ICVN2112A250FR INNOCHIP SMD | ICVN2112A250FR.pdf |