창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL510SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL510S, SiHL510S | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 540m옴 @ 3.4A, 5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.1nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL510SPBF | |
관련 링크 | IRL510, IRL510SPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | BSPS4255TTR | 230/400V CMBIND LIGHTNG CRRNT/SU | BSPS4255TTR.pdf | |
![]() | CMF552K7000BEEB | RES 2.7K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF552K7000BEEB.pdf | |
![]() | HY38256TI-15 | HY38256TI-15 HYUNDAI SMD or Through Hole | HY38256TI-15.pdf | |
![]() | X25138X | X25138X SOP INFINEON | X25138X.pdf | |
![]() | DEA16537BT-2121A1 | DEA16537BT-2121A1 TDA SMD | DEA16537BT-2121A1.pdf | |
![]() | FE1000002 | FE1000002 ORIGINAL SMD3.5X5 | FE1000002.pdf | |
![]() | 1805-01G-L0N-B | 1805-01G-L0N-B HONEYWELL SMD or Through Hole | 1805-01G-L0N-B.pdf | |
![]() | SIR-34ST3 | SIR-34ST3 ROHM SMD or Through Hole | SIR-34ST3.pdf | |
![]() | M471B5273DH0-CH9 (DDR3/1333/256/SO-DIMM) | M471B5273DH0-CH9 (DDR3/1333/256/SO-DIMM) Samsung SMD or Through Hole | M471B5273DH0-CH9 (DDR3/1333/256/SO-DIMM).pdf | |
![]() | YB1200CD-S- | YB1200CD-S- ORIGINAL SMD or Through Hole | YB1200CD-S-.pdf | |
![]() | WM8941GEFL | WM8941GEFL WOLFSON QFN | WM8941GEFL.pdf | |
![]() | BWS4805S4 | BWS4805S4 IPD SMD or Through Hole | BWS4805S4.pdf |