창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRL3713PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRL3713PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
| 설계 리소스 | IRL3713PBF Saber Model IRL3713PBF Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 260A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 38A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5890pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | *IRL3713PBF 64-0082PBF 64-0082PBF-ND SP001567066 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRL3713PBF | |
| 관련 링크 | IRL371, IRL3713PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CF12JT680K | RES 680K OHM 1/2W 5% CARBON FILM | CF12JT680K.pdf | |
| RSMF5JA100R | RES METAL OX 5W 100 OHM 5% AXL | RSMF5JA100R.pdf | ||
![]() | 42356 | 42356 ADI SOP | 42356.pdf | |
![]() | 9860105 | 9860105 ORIGINAL TSSOP20 | 9860105.pdf | |
![]() | MAX1954EUB+ | MAX1954EUB+ MAXIM MSOP10 | MAX1954EUB+.pdf | |
![]() | OTI036AD-35 | OTI036AD-35 OAK DIP | OTI036AD-35.pdf | |
![]() | S3C4510B01-QER | S3C4510B01-QER SAMSUNG SMD or Through Hole | S3C4510B01-QER.pdf | |
![]() | LH540203D-15 | LH540203D-15 ORIGINAL DIP | LH540203D-15.pdf | |
![]() | A81A250X | A81A250X EPCOS SMD or Through Hole | A81A250X.pdf | |
![]() | FR309-PFS | FR309-PFS ORIGINAL SMD or Through Hole | FR309-PFS.pdf | |
![]() | UWT0J470MCC2GB | UWT0J470MCC2GB ORIGINAL 5x5 | UWT0J470MCC2GB.pdf |