창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRL3705ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRL3705Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRL3705ZL Saber Model IRL3705ZL Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1513 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 52A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2880pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRL3705ZPBF SP001557992 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRL3705ZPBF | |
관련 링크 | IRL370, IRL3705ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
870235373001 | 100µF 16V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 12 mOhm 5000 Hrs @ 105°C | 870235373001.pdf | ||
T550B107M050AH4251 | 100µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 50V Axial 130 mOhm 0.281" Dia x 0.641" L (7.14mm x 16.28mm) | T550B107M050AH4251.pdf | ||
T95R336M025HZAL | 33µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 25V 2824 (7260 Metric) 130 mOhm 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | T95R336M025HZAL.pdf | ||
1N6016 | 1N6016 ORIGINAL DIP | 1N6016.pdf | ||
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LM312H/883B | LM312H/883B OKI DIP-22 | LM312H/883B.pdf | ||
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