창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRG8P60N120KDPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG8P60N120KD(-E)PbF | |
| 주요제품 | 1200 V Gen8 IGBT | |
| PCN 단종/ EOL | Mult Device EOL 30/Mar/2016 Mult Device EOL REV 11/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 120A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A | |
| 전력 - 최대 | 420W | |
| 스위칭 에너지 | 2.8mJ(켜기), 2.3mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 345nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 40ns/240ns | |
| 테스트 조건 | 600V, 40A, 5 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 210ns | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AC | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001537660 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRG8P60N120KDPBF | |
| 관련 링크 | IRG8P60N1, IRG8P60N120KDPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-8BQFR36V | RES SMD 0.36 OHM 1% 1/2W 1206 | ERJ-8BQFR36V.pdf | |
![]() | CMF65R27000FNBF11 | RES 0.27 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF65R27000FNBF11.pdf | |
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![]() | CLA64047 | CLA64047 GPS PLCC84 | CLA64047.pdf | |
![]() | 545160-3 | 545160-3 AMP SMD or Through Hole | 545160-3.pdf | |
![]() | LT3420EMS-1# | LT3420EMS-1# LT MSOP10 | LT3420EMS-1#.pdf | |
![]() | WSL1206R0700DTA | WSL1206R0700DTA VISHAY 1206-0.07 | WSL1206R0700DTA.pdf | |
![]() | EMK107BJ105KA | EMK107BJ105KA ORIGINAL SMD | EMK107BJ105KA.pdf | |
![]() | 3DD175F | 3DD175F CHINA SMD or Through Hole | 3DD175F.pdf | |
![]() | S-GB018-54W | S-GB018-54W ORIGINAL SMD or Through Hole | S-GB018-54W.pdf | |
![]() | 74LV04PWT3 | 74LV04PWT3 PHILIPS SMD or Through Hole | 74LV04PWT3.pdf | |
![]() | RT54005520-021B | RT54005520-021B ORIGINAL DIP | RT54005520-021B.pdf |