창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRG7PSH54K10DPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRG7PSH54K10DPbF | |
| PCN 설계/사양 | Pkg Outline Chg 04/Jan/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 120A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 200A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 스위칭 에너지 | 4.8mJ(켜기), 2.8mJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 435nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 110ns/490ns | |
| 테스트 조건 | 600V, 50A, 5 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 170ns | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | SUPER-247(TO-274AA) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | SP001545858 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRG7PSH54K10DPBF | |
| 관련 링크 | IRG7PSH54, IRG7PSH54K10DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
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![]() | 12067A101MAT2A | 100pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12067A101MAT2A.pdf | |
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![]() | MGA-633P8-TR2G | RF Amplifier IC CDMA, GSM 450MHz ~ 2GHz 8-QFN (2x2) | MGA-633P8-TR2G.pdf | |
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