창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG7PH42U-EP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG7PH42UPbF/U-EP | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 Tin Electro-Plating Metal 04/Jan/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1512 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 90A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 90A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A | |
전력 - 최대 | 385W | |
스위칭 에너지 | 2.11mJ(켜기), 1.18mJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 157nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 25ns/229ns | |
테스트 조건 | 600V, 30A, 10 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 153ns | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | IRG7PH42UEP SP001541464 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRG7PH42U-EP | |
관련 링크 | IRG7PH4, IRG7PH42U-EP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
UGB15JT-E3/81 | DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB | UGB15JT-E3/81.pdf | ||
MRS16000C1652FCT00 | RES 16.5K OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C1652FCT00.pdf | ||
MBA02040C6191FRP00 | RES 6.19K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C6191FRP00.pdf | ||
33-01-C44-RRFC-D1T1U1CH-AM | 33-01-C44-RRFC-D1T1U1CH-AM EVERLIGHT DIP | 33-01-C44-RRFC-D1T1U1CH-AM.pdf | ||
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ST7272N5B1 | ST7272N5B1 ORIGINAL SMD or Through Hole | ST7272N5B1.pdf | ||
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2SK1186 | 2SK1186 ORIGINAL TO-220 | 2SK1186.pdf | ||
BAS32A | BAS32A PHI SOP DIP | BAS32A.pdf |