창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG4BC30W-SPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG4BC30W-SPbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Addition 10/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 23A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 92A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A | |
전력 - 최대 | 100W | |
스위칭 에너지 | 130µJ(켜기), 130µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 51nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 25ns/99ns | |
테스트 조건 | 480V, 12A, 23 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRG4BC30W-SPBF SP001533534 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRG4BC30W-SPBF | |
관련 링크 | IRG4BC30, IRG4BC30W-SPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | 1825AA682KAT1A\SB | 6800pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | 1825AA682KAT1A\SB.pdf | |
![]() | ST2TA202 | 2k Ohm 0.1W, 1/10W J Lead Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | ST2TA202.pdf | |
![]() | IL712S-3E | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 2 Channel 150Mbps 30kV/µs CMTI 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | IL712S-3E.pdf | |
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![]() | PDJ006A | PDJ006A ORIGINAL QFP80 | PDJ006A.pdf | |
![]() | R4HZ | R4HZ ORIGINAL DO-5 | R4HZ.pdf | |
![]() | FQP12N35 | FQP12N35 FSC/ TO-220 | FQP12N35.pdf | |
![]() | JZ20M-5.7 | JZ20M-5.7 LSD SMD or Through Hole | JZ20M-5.7.pdf | |
![]() | CR32-8W | CR32-8W ORIGINAL 1K | CR32-8W.pdf |