창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRG4BC30FDSTRRP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRG4BC30FD-SPbF | |
제품 교육 모듈 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 설계/사양 | IGBT D2Pak Mold Compound 16/Sep/2013 | |
PCN 조립/원산지 | Alternate Diode Supplier 01/Apr/2014 Alternate Diode Supplier Retraction 04/Apr/2014 Assembly Site Addition 10/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 31A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 120A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 17A | |
전력 - 최대 | 100W | |
스위칭 에너지 | 630µJ(켜기), 1.39mJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 51nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 42ns/230ns | |
테스트 조건 | 480V, 17A, 23 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 42ns | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SP001541970 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRG4BC30FDSTRRP | |
관련 링크 | IRG4BC30F, IRG4BC30FDSTRRP 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | PE2010DKF7W0R015L | RES SMD 0.015 OHM 0.5% 1W 2010 | PE2010DKF7W0R015L.pdf | |
![]() | F7309 | F7309 IR SOP-8 | F7309.pdf | |
![]() | LT1949ES8 | LT1949ES8 LTC sop8 | LT1949ES8.pdf | |
![]() | PT-030A1-T | PT-030A1-T MISAKI SMD-4 | PT-030A1-T.pdf | |
![]() | SC431CSKTR | SC431CSKTR SEMTECH (SOT23) | SC431CSKTR.pdf | |
![]() | C3216CH1E333JT | C3216CH1E333JT TDK 1206 | C3216CH1E333JT.pdf | |
![]() | BTFW10R-3RBTAE1 | BTFW10R-3RBTAE1 FCI SMD or Through Hole | BTFW10R-3RBTAE1.pdf | |
![]() | 5SLD 1200J330100 | 5SLD 1200J330100 ABB SMD or Through Hole | 5SLD 1200J330100.pdf | |
![]() | A54SX32-TQG144M | A54SX32-TQG144M Actel SMD or Through Hole | A54SX32-TQG144M.pdf | |
![]() | HD64413AFI | HD64413AFI HIT QFP176 | HD64413AFI.pdf |