창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFZ48NSTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFZ48NSPbF, IRFZ48NLPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFZ48NS Saber Model IRFZ48NS Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 Material Chg 24/Nov/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1516 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 32A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 81nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1970pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFZ48NSTRLPBF-ND IRFZ48NSTRLPBFTR SP001573544 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFZ48NSTRLPBF | |
관련 링크 | IRFZ48NS, IRFZ48NSTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
T550B107M010AH4251 | 100µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 10V Axial 0.281" Dia x 0.641" L (7.14mm x 16.28mm) | T550B107M010AH4251.pdf | ||
PTN1206E6812BST1 | RES SMD 68.1K OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E6812BST1.pdf | ||
AF122-FR-0721R5L | RES ARRAY 2 RES 21.5 OHM 0404 | AF122-FR-0721R5L.pdf | ||
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MRA-121R800FE12 | RES 1.8 OHM 1% AXIAL | MRA-121R800FE12.pdf | ||
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LD2979M50TR TEL:82766440 | LD2979M50TR TEL:82766440 ST SMD or Through Hole | LD2979M50TR TEL:82766440.pdf | ||
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DF36078GFZV | DF36078GFZV Renesas SMD or Through Hole | DF36078GFZV.pdf |