창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFZ44ZLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFZ44Z(S,L)PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFZ44ZL Saber Model IRFZ44ZL Spice Model | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13.9m옴 @ 31A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1420pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 80W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | TO-262 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | *IRFZ44ZLPBF SP001571852 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFZ44ZLPBF | |
관련 링크 | IRFZ44, IRFZ44ZLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
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![]() | CL21C562JBF1PNE | 5600pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C562JBF1PNE.pdf | |
![]() | 402F27033CDT | 27MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F27033CDT.pdf | |
![]() | CZRUR52C3V6 | DIODE ZENER 3.6V 150MW 0603 | CZRUR52C3V6.pdf | |
![]() | MCR10EZPJ564 | RES SMD 560K OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10EZPJ564.pdf | |
![]() | H8150KFDA | RES 150K OHM 1/4W 1% AXIAL | H8150KFDA.pdf | |
![]() | OHD3-40M | SENSTHERMOHD3 40C 6W MAKE | OHD3-40M.pdf | |
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![]() | FORTIASIC CP6 P6SP4-010 | FORTIASIC CP6 P6SP4-010 ORIGINAL BGA | FORTIASIC CP6 P6SP4-010.pdf | |
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