창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU430APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_430A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | *IRFU430APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU430APBF | |
| 관련 링크 | IRFU43, IRFU430APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | C0603Y222K1RACTU | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603Y222K1RACTU.pdf | |
![]() | AQ12EA150JAJBE | 15pF 150V 세라믹 커패시터 A 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EA150JAJBE.pdf | |
![]() | SM6227JT51R0 | RES SMD 51 OHM 5% 3W 6227 | SM6227JT51R0.pdf | |
![]() | CPCP0240R00JB31 | RES 40 OHM 2W 5% RADIAL | CPCP0240R00JB31.pdf | |
![]() | LC7585 | LC7585 SANYO SSOP | LC7585.pdf | |
![]() | K4H1G0438M-TCBO | K4H1G0438M-TCBO infineon BGA | K4H1G0438M-TCBO.pdf | |
![]() | D5869S | D5869S CHMC HSOP28 | D5869S.pdf | |
![]() | 595D337X0010R2TE3 | 595D337X0010R2TE3 ORIGINAL DIPSOP | 595D337X0010R2TE3.pdf | |
![]() | SH3S007W1B | SH3S007W1B JAE NA | SH3S007W1B.pdf | |
![]() | MAX6394US480D4+T | MAX6394US480D4+T NULL NULL | MAX6394US480D4+T.pdf | |
![]() | HD7444AP | HD7444AP HI DIP-16 | HD7444AP.pdf | |
![]() | MAX358MJE.C30189 | MAX358MJE.C30189 MAX Call | MAX358MJE.C30189.pdf |