창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU210PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_210 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFU210PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU210PBF | |
| 관련 링크 | IRFU21, IRFU210PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | VS-40HFR60 | DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB | VS-40HFR60.pdf | |
![]() | CMF5522R100BHBF | RES 22.1 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5522R100BHBF.pdf | |
![]() | 2200-0151 | 2200-0151 Agilent SMD or Through Hole | 2200-0151.pdf | |
![]() | HIP25600 | HIP25600 HARRIS TO-220 | HIP25600.pdf | |
![]() | LDR655315T-220 | LDR655315T-220 TDK SMD or Through Hole | LDR655315T-220.pdf | |
![]() | 1PMT30AT1 | 1PMT30AT1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1PMT30AT1.pdf | |
![]() | 78P468N | 78P468N EMC SMD or Through Hole | 78P468N.pdf | |
![]() | TA7207 | TA7207 TOS SMD or Through Hole | TA7207.pdf | |
![]() | SB050M1R00A5F-0407 | SB050M1R00A5F-0407 YAGEO DIP | SB050M1R00A5F-0407.pdf | |
![]() | LP38691SD-ADJ | LP38691SD-ADJ NS SMD or Through Hole | LP38691SD-ADJ.pdf | |
![]() | L9907ND | L9907ND st SOP | L9907ND.pdf | |
![]() | GRM0225C1A560GD05L | GRM0225C1A560GD05L MURATA SMD or Through Hole | GRM0225C1A560GD05L.pdf |