창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFU024PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_024 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-251AA | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFU024PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFU024PBF | |
| 관련 링크 | IRFU02, IRFU024PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RT1206BRE07750RL | RES SMD 750 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE07750RL.pdf | |
![]() | SN70313J | SN70313J TI CDIP14 | SN70313J.pdf | |
![]() | KSZ8995M V:A4 | KSZ8995M V:A4 MICREL 128LQFP | KSZ8995M V:A4.pdf | |
![]() | S22S12I10 | S22S12I10 JAPAN DIP | S22S12I10 .pdf | |
![]() | US1G/61T | US1G/61T VISHAY SMD or Through Hole | US1G/61T.pdf | |
![]() | XL1501AS-12 | XL1501AS-12 XLSEMI TO-263 | XL1501AS-12.pdf | |
![]() | EPM1K100QC208-3 | EPM1K100QC208-3 ALTERA N A | EPM1K100QC208-3.pdf | |
![]() | 77V011L155DA | 77V011L155DA IDT QFP | 77V011L155DA.pdf | |
![]() | DK511A | DK511A MIT DIP-13P | DK511A.pdf | |
![]() | TL072IPE4 | TL072IPE4 TI SMD or Through Hole | TL072IPE4.pdf | |
![]() | 2SK3556-01SJ-TE24JR | 2SK3556-01SJ-TE24JR FUJI SMD or Through Hole | 2SK3556-01SJ-TE24JR.pdf |