창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFSL9N60APBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFSL9N60A | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRFSL9N60APBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFSL9N60APBF | |
관련 링크 | IRFSL9N, IRFSL9N60APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
1274AS-H-2R2N=P3 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 8A 9.6 mOhm Max 2-SMD | 1274AS-H-2R2N=P3.pdf | ||
![]() | MCR18ERTJ204 | RES SMD 200K OHM 5% 1/4W 1206 | MCR18ERTJ204.pdf | |
![]() | Y1453191R000V9L | RES 191 OHM 0.6W 0.005% RADIAL | Y1453191R000V9L.pdf | |
![]() | DS8857J | DS8857J NS DIP | DS8857J.pdf | |
![]() | ADP3333ARMZ-1.8-RL7 | ADP3333ARMZ-1.8-RL7 AD MSOP8 | ADP3333ARMZ-1.8-RL7.pdf | |
![]() | 24C32N SC | 24C32N SC AT SOP-8 | 24C32N SC.pdf | |
![]() | MS3476L18-8P | MS3476L18-8P DEUTCH SMD or Through Hole | MS3476L18-8P.pdf | |
![]() | SNFC0412P-220F | SNFC0412P-220F ORIGINAL SMD or Through Hole | SNFC0412P-220F.pdf | |
![]() | TD46N16LOF | TD46N16LOF EUPEC SMD or Through Hole | TD46N16LOF.pdf | |
![]() | HC11L1 | HC11L1 ORIGINAL DIP | HC11L1.pdf | |
![]() | SY604JC | SY604JC MICREL PLCC28 | SY604JC.pdf | |
![]() | LM386 SOP NS | LM386 SOP NS NS DIPSOP | LM386 SOP NS.pdf |