창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL9N60APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFSL9N60A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFSL9N60APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL9N60APBF | |
| 관련 링크 | IRFSL9N, IRFSL9N60APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | T9EV1D14-22 | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 22VDC Coil Through Hole | T9EV1D14-22.pdf | |
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![]() | RP73D2A30K1BTDF | RES SMD 30.1K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RP73D2A30K1BTDF.pdf | |
![]() | RCP0603B50R0JTP | RES SMD 50 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B50R0JTP.pdf | |
![]() | Y077110R0000A0L | RES 10 OHM 1W 0.05% RADIAL | Y077110R0000A0L.pdf | |
![]() | IRG4BC20SDPBF | IRG4BC20SDPBF IR SMD or Through Hole | IRG4BC20SDPBF.pdf | |
![]() | 2SD1742-TX | 2SD1742-TX ORIGINAL SOP89 | 2SD1742-TX.pdf | |
![]() | LP3988IMF-3.3. | LP3988IMF-3.3. NS SOT23-5 | LP3988IMF-3.3..pdf | |
![]() | Y1011C2C203NQ | Y1011C2C203NQ C&KCOMPONENTS YSeriesSP2Positi | Y1011C2C203NQ.pdf | |
![]() | ENV59870G3 | ENV59870G3 ORIGINAL SMD or Through Hole | ENV59870G3.pdf | |
![]() | 05869-46171-1 | 05869-46171-1 S CDIP16 | 05869-46171-1.pdf | |
![]() | K9F1G08U0B-PIB0T00 | K9F1G08U0B-PIB0T00 SAMSUNG SMD or Through Hole | K9F1G08U0B-PIB0T00.pdf |