창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL9N60APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFSL9N60A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | I2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFSL9N60APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL9N60APBF | |
| 관련 링크 | IRFSL9N, IRFSL9N60APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CRCW25123M40FKEG | RES SMD 3.4M OHM 1% 1W 2512 | CRCW25123M40FKEG.pdf | |
![]() | Y00757K00000D0L | RES 7K OHM 0.3W 0.5% RADIAL | Y00757K00000D0L.pdf | |
![]() | 330P 50V | 330P 50V ORIGINAL SMD or Through Hole | 330P 50V.pdf | |
![]() | 1607501958 | 1607501958 STM DIP20 | 1607501958.pdf | |
![]() | CY27H010-25WI | CY27H010-25WI CY DIP | CY27H010-25WI.pdf | |
![]() | IDT32H569-CL | IDT32H569-CL IDT SOP20 | IDT32H569-CL.pdf | |
![]() | LWC20AJ71-42 | LWC20AJ71-42 LUCENT SMD or Through Hole | LWC20AJ71-42.pdf | |
![]() | MBI1816GT | MBI1816GT MBI TSSOP | MBI1816GT.pdf | |
![]() | SS1E106M04007 | SS1E106M04007 samwha DIP-2 | SS1E106M04007.pdf | |
![]() | 52.3K | 52.3K ORIGINAL SMD or Through Hole | 52.3K.pdf | |
![]() | PQ1CZ38M2ZPU | PQ1CZ38M2ZPU ORIGINAL SMD or Through Hole | PQ1CZ38M2ZPU.pdf | |
![]() | 1.5smcj30cadio | 1.5smcj30cadio dio SMD or Through Hole | 1.5smcj30cadio.pdf |