창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL7530PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF(B,S,SL)7530PbF | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 411nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13703pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 375W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001565198 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL7530PBF | |
| 관련 링크 | IRFSL75, IRFSL7530PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | CC0402ZRY5V7BB103 | 10000pF 16V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402ZRY5V7BB103.pdf | |
![]() | SR227A151KAR | 150pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR227A151KAR.pdf | |
![]() | ELL-VFG220MC | 22µH Shielded Wirewound Inductor 430mA 710 mOhm Nonstandard | ELL-VFG220MC.pdf | |
![]() | GS9075ACNE3 | GS9075ACNE3 GENNUM SMD or Through Hole | GS9075ACNE3.pdf | |
![]() | DS8392CN-1 | DS8392CN-1 NSC DIP-16 | DS8392CN-1.pdf | |
![]() | UT62V256SC-70L | UT62V256SC-70L UTC SMD or Through Hole | UT62V256SC-70L.pdf | |
![]() | C1005Y5V1A474Z00T | C1005Y5V1A474Z00T TDK SMD or Through Hole | C1005Y5V1A474Z00T.pdf | |
![]() | DOZ/23 | DOZ/23 HP SOT-23 | DOZ/23.pdf | |
![]() | 3CK4B | 3CK4B ORIGINAL CAN | 3CK4B.pdf | |
![]() | NVFS2100-3FZ | NVFS2100-3FZ ORIGINAL NEW | NVFS2100-3FZ.pdf |