Infineon Technologies IRFSL7437PBF

IRFSL7437PBF
제조업체 부품 번호
IRFSL7437PBF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N CH 40V 195A TO-262
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내부 부품 번호EIS-IRFSL7437PBF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IRFS(L)7437PbF
제품 교육 모듈High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
주요제품StrongIRFET™ Power MOSFET Family
PCN 설계/사양Copper Plating Update 31/Aug/2015
PCN 조립/원산지TO-262 FET 04/Jul/2013
Mosfet Wafer Process 30/Jul/2013
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Additional Assembly Site 22/Nov/2013
PCN 포장Package Drawing Update 19/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열HEXFET®, StrongIRFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C195A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.8m옴 @ 100A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.9V @ 150µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs225nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7330pF @ 25V
전력 - 최대230W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지TO-262
표준 포장 50
다른 이름SP001578458
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)IRFSL7437PBF
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