창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFSL5615PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS(L)5615PBF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Apr/2014 Revision with Removed Parts 10/Oct/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1514 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1750pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 144W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-262 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | SP001567730 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFSL5615PBF | |
| 관련 링크 | IRFSL56, IRFSL5615PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | MKP385530025JKP2T0 | 3µF Film Capacitor 160V 250V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.512" W (31.00mm x 13.00mm) | MKP385530025JKP2T0.pdf | |
![]() | B1142E1-ND3G-3-75 | B1142E1-ND3G-3-75 AMPHENOL SMD or Through Hole | B1142E1-ND3G-3-75.pdf | |
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![]() | 1510727-01 | 1510727-01 ORIGINAL DIP6 | 1510727-01.pdf | |
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![]() | LM4936MHX/NOPB | LM4936MHX/NOPB NSC TSSOP-28 | LM4936MHX/NOPB.pdf | |
![]() | ST72F324J4T6(P/B) | ST72F324J4T6(P/B) ST TQFP-44 | ST72F324J4T6(P/B).pdf | |
![]() | 74476013 | 74476013 wth 3000trsmd | 74476013.pdf | |
![]() | TA31018AP | TA31018AP TOS DIP | TA31018AP.pdf | |
![]() | TC55V2325FF7J | TC55V2325FF7J TOS PQFP | TC55V2325FF7J.pdf |