창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS9N60ATRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFS9N60A, SiHFS9N60A | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.2A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 49nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 170W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS9N60ATRLPBF-ND IRFS9N60ATRLPBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFS9N60ATRLPBF | |
관련 링크 | IRFS9N60A, IRFS9N60ATRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
3-1462050-9 | RELAY RF 1FORMC/1CO 2A 5V | 3-1462050-9.pdf | ||
SN59043A2 | SN59043A2 TI QFN | SN59043A2.pdf | ||
KX101FC360 | KX101FC360 WESTCODE SMD or Through Hole | KX101FC360.pdf | ||
AD3-64 | AD3-64 AD QFP-64 | AD3-64.pdf | ||
AO3401DS-T1-E3 | AO3401DS-T1-E3 VISHAY SOT23 | AO3401DS-T1-E3.pdf | ||
BHS-3-5 | BHS-3-5 LAMBDA SMD or Through Hole | BHS-3-5.pdf | ||
AP2312 | AP2312 AP SOT-23 | AP2312.pdf | ||
MSS1038-522NL | MSS1038-522NL COILCRA SMD | MSS1038-522NL.pdf | ||
BTA204-500D | BTA204-500D PHILIPS TO-220 | BTA204-500D.pdf | ||
CXN1500-3AAL | CXN1500-3AAL SONY SMD or Through Hole | CXN1500-3AAL.pdf | ||
RD14J133T52 | RD14J133T52 FIRSTRONELECTRONI SMD or Through Hole | RD14J133T52.pdf | ||
SMI-453232-R82M | SMI-453232-R82M MagLayers SMD | SMI-453232-R82M.pdf |