창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS7434TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFS(L)7434PbF | |
제품 교육 모듈 | Discrete Power MOSFETs 40V and Below | |
PCN 설계/사양 | Copper Plating Update 31/Aug/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 195A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 324nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10820pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 294W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | IRFS7434TRLPBF-ND IRFS7434TRLPBFTR SP001578486 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFS7434TRLPBF | |
관련 링크 | IRFS7434, IRFS7434TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
K470J15C0GF5TL2 | 47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K470J15C0GF5TL2.pdf | ||
750311907 | 1.2mH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 1.1 Ohm Radial | 750311907.pdf | ||
ERJ-L14UF88MU | RES SMD 0.088 OHM 1% 1/3W 1210 | ERJ-L14UF88MU.pdf | ||
SII935CTU | SII935CTU ORIGINAL QFP | SII935CTU.pdf | ||
T398N14TOF | T398N14TOF EUPEC SMD or Through Hole | T398N14TOF.pdf | ||
UPY1C331MPH1TD | UPY1C331MPH1TD NICHI SMD or Through Hole | UPY1C331MPH1TD.pdf | ||
SC421242CDW | SC421242CDW MOT SMD | SC421242CDW.pdf | ||
ELXV630ELL681MM25S | ELXV630ELL681MM25S NIPPONCHEMI-COM DIP | ELXV630ELL681MM25S.pdf | ||
S9S08DZ32F1CLH | S9S08DZ32F1CLH FRE Call | S9S08DZ32F1CLH.pdf | ||
XCV50E6FG256C | XCV50E6FG256C XILINX SMD or Through Hole | XCV50E6FG256C.pdf |