창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS11N50APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS11N50A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 6.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1423pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFS11N50APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS11N50APBF | |
| 관련 링크 | IRFS11N, IRFS11N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | FA3629V | FA3629V FUJ SMD or Through Hole | FA3629V.pdf | |
![]() | EP-002DG | EP-002DG MNC SMD or Through Hole | EP-002DG.pdf | |
![]() | UPD78214CWG12 | UPD78214CWG12 NEC SMD or Through Hole | UPD78214CWG12.pdf | |
![]() | 53.125MHZ | 53.125MHZ S SMD or Through Hole | 53.125MHZ.pdf | |
![]() | LM1-NPP1-01-N1 | LM1-NPP1-01-N1 CREE ROHS | LM1-NPP1-01-N1.pdf | |
![]() | BA7725FS-E1A | BA7725FS-E1A ROHM SOP | BA7725FS-E1A.pdf | |
![]() | 57TM98H47 | 57TM98H47 JDS SMD or Through Hole | 57TM98H47.pdf | |
![]() | 2P3D105X0016A2T | 2P3D105X0016A2T ORIGINAL SMD or Through Hole | 2P3D105X0016A2T.pdf | |
![]() | S4B-PH-K-S | S4B-PH-K-S JST SMD or Through Hole | S4B-PH-K-S.pdf | |
![]() | QT118H1G | QT118H1G MIC SOP-8 | QT118H1G.pdf | |
![]() | SR732ELTD4990F | SR732ELTD4990F KOA SMD or Through Hole | SR732ELTD4990F.pdf | |
![]() | MW16125 | MW16125 MW SOPSSOP24 | MW16125.pdf |