창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFS11N50APBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFS11N50A | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 520m옴 @ 6.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 52nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1423pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | *IRFS11N50APBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFS11N50APBF | |
| 관련 링크 | IRFS11N, IRFS11N50APBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | E69-C06M | COUPLING FOR E6C2-C ROTRY ENCODR | E69-C06M.pdf | |
![]() | RN5RF28B 2.8V 780A | RN5RF28B 2.8V 780A ORIGINAL SMD or Through Hole | RN5RF28B 2.8V 780A.pdf | |
![]() | 615-12-1/883 | 615-12-1/883 DDC DIP | 615-12-1/883.pdf | |
![]() | 1393366-1 | 1393366-1 AMP ROHS | 1393366-1.pdf | |
![]() | R5323N041B-TR-F | R5323N041B-TR-F RICOH SOT-23-6 | R5323N041B-TR-F.pdf | |
![]() | A8867 124 | A8867 124 N/A SMD or Through Hole | A8867 124.pdf | |
![]() | OUAZ-SS-109L-9VDC | OUAZ-SS-109L-9VDC OEG SMD or Through Hole | OUAZ-SS-109L-9VDC.pdf | |
![]() | IT1605470020091 | IT1605470020091 ITC 4.7uH20 | IT1605470020091.pdf | |
![]() | MC68EC060RC75M | MC68EC060RC75M MOT PGA | MC68EC060RC75M.pdf | |
![]() | MAX6823RUK-T | MAX6823RUK-T MAX SMD or Through Hole | MAX6823RUK-T.pdf |