창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR9214TRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9214 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3옴 @ 1.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 220pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR9214TRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFR9214, IRFR9214TRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | MCR50JZHF13R7 | RES SMD 13.7 OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHF13R7.pdf | |
![]() | PAT0603E3282BST1 | RES SMD 32.8KOHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E3282BST1.pdf | |
![]() | LPC3220FET | LPC3220FET NXP SMD or Through Hole | LPC3220FET.pdf | |
![]() | GDZ3.9 /GDZ T2R 3.9 | GDZ3.9 /GDZ T2R 3.9 ROHM GMD20402 | GDZ3.9 /GDZ T2R 3.9.pdf | |
![]() | A2/153 | A2/153 ROHM SOT-153 | A2/153.pdf | |
![]() | BDP949************ | BDP949************ INF SOT223 | BDP949************.pdf | |
![]() | ENE-PTTDT-30Y3528WF0B08Q | ENE-PTTDT-30Y3528WF0B08Q ORIGINAL SMD or Through Hole | ENE-PTTDT-30Y3528WF0B08Q.pdf | |
![]() | TLP8101 | TLP8101 TOS N A | TLP8101.pdf | |
![]() | LB10011AB | LB10011AB ORIGINAL DIP-8 | LB10011AB.pdf | |
![]() | LP-160S | LP-160S LANKOM SOP | LP-160S.pdf | |
![]() | LNK2V103MSEHBB | LNK2V103MSEHBB NICHICON DIP | LNK2V103MSEHBB.pdf |