창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR9110TRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 1.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | IRFR9110PBFTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR9110TRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR911, IRFR9110TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 02013J1R4ABWTR\500 | 1.4pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02013J1R4ABWTR\500.pdf | |
![]() | UNR31A9G0L | TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3 | UNR31A9G0L.pdf | |
![]() | 3203X103P | 10k Ohm 0.05W, 1/20W J Lead Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3203X103P.pdf | |
![]() | PNP300JR-73-0R39 | RES 0.39 OHM 3W 5% AXIAL | PNP300JR-73-0R39.pdf | |
![]() | CMF5516K200BHEB70 | RES 16.2K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF5516K200BHEB70.pdf | |
![]() | MB324M | MB324M ORIGINAL SOP14 | MB324M.pdf | |
![]() | NJM082D/JRC | NJM082D/JRC JRC 2011 | NJM082D/JRC.pdf | |
![]() | HAU160C029 TP | HAU160C029 TP ORIGIN SOT-23 | HAU160C029 TP.pdf | |
![]() | SY8-0E157M-RB | SY8-0E157M-RB ELNA SMD or Through Hole | SY8-0E157M-RB.pdf | |
![]() | SC90078EFR2 | SC90078EFR2 FREESCALE SOP16 | SC90078EFR2.pdf |