창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR9110TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_9110 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.2옴 @ 1.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR9110TRLPBF | |
관련 링크 | IRFR9110, IRFR9110TRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C503B-ABN-CW0Z0251 | Amber 591nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | C503B-ABN-CW0Z0251.pdf | |
![]() | CAL22V10D | CAL22V10D ORIGINAL DIP | CAL22V10D.pdf | |
![]() | EUA7967 | EUA7967 ORIGINAL SMD or Through Hole | EUA7967.pdf | |
![]() | PCF8575DBQ | PCF8575DBQ TI QSOP-24 | PCF8575DBQ.pdf | |
![]() | G80-100-KA-A3 | G80-100-KA-A3 NVIDIA BGA | G80-100-KA-A3.pdf | |
![]() | M5M5165P-12L | M5M5165P-12L MIT DIP28 | M5M5165P-12L.pdf | |
![]() | 10_ | 10_ panasonic SMD or Through Hole | 10_.pdf | |
![]() | ENGE6305GW | ENGE6305GW ORIGINAL SMD or Through Hole | ENGE6305GW.pdf | |
![]() | LTC2209 | LTC2209 LT QFN | LTC2209.pdf | |
![]() | P50-050S-R1-TG | P50-050S-R1-TG RN SMD or Through Hole | P50-050S-R1-TG.pdf | |
![]() | K9S3208V0A-SSB0 | K9S3208V0A-SSB0 FSC DIP | K9S3208V0A-SSB0.pdf | |
![]() | LM4895MM/NOPB | LM4895MM/NOPB NSC Call | LM4895MM/NOPB.pdf |