창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR7540TRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)7540PbF | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.8m옴 @ 66A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4360pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SP001565094 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR7540TRLPBF | |
관련 링크 | IRFR7540, IRFR7540TRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | 1.8P/0603, 5% | 1.8P/0603, 5% ORIGINAL SMD or Through Hole | 1.8P/0603, 5%.pdf | |
![]() | X24C08B | X24C08B ORIGINAL DIP-8 | X24C08B.pdf | |
![]() | 195D684X9025B2T | 195D684X9025B2T VISHAY SMD | 195D684X9025B2T.pdf | |
![]() | CHTP3316R-470M | CHTP3316R-470M ORIGINAL 600EAREEL | CHTP3316R-470M.pdf | |
![]() | IR-MOOA | IR-MOOA ORIGINAL DIP | IR-MOOA.pdf | |
![]() | 20ETF04S | 20ETF04S IR SMD or Through Hole | 20ETF04S.pdf | |
![]() | APQW1B99-R | APQW1B99-R ORIGINAL SMD or Through Hole | APQW1B99-R.pdf | |
![]() | DR04F36Q1098AYT | DR04F36Q1098AYT IMC SMD or Through Hole | DR04F36Q1098AYT.pdf | |
![]() | TMC3KJ-B470R | TMC3KJ-B470R NOBLE SMD or Through Hole | TMC3KJ-B470R.pdf | |
![]() | 1419108-2 | 1419108-2 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1419108-2.pdf | |
![]() | 1SMB2EZ14 | 1SMB2EZ14 PANJIT SMB | 1SMB2EZ14.pdf | |
![]() | HZU6.2ZTR | HZU6.2ZTR renesas SOT-23 | HZU6.2ZTR.pdf |