창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR5305TRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR5305PbF, IRFU5305PbF | |
| PCN 설계/사양 | Leadframe Update 02/Jun/2015 Leadframe Retraction 03/Jun/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Alternate Assembly Site 02/Apr/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 31A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 63nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | * | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SP001573302 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR5305TRRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR5305, IRFR5305TRRPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 0ATO010.VP | FUSE AUTO 10A 32VAC/VDC 5PK CARD | 0ATO010.VP.pdf | |
![]() | RMCF0402FT38K3 | RES SMD 38.3K OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT38K3.pdf | |
![]() | CRCW040256K2DHEDP | RES SMD 56.2KOHM 0.5% 1/16W 0402 | CRCW040256K2DHEDP.pdf | |
![]() | SZA1000H | SZA1000H PHILIPS QFP44 | SZA1000H.pdf | |
![]() | PFP5915 | PFP5915 ORIGINAL DIP/SMD | PFP5915.pdf | |
![]() | LTC2052HVHGN | LTC2052HVHGN LINEAR SSOP | LTC2052HVHGN.pdf | |
![]() | KT200E70 | KT200E70 KEC T0-92 | KT200E70.pdf | |
![]() | 1302AIS | 1302AIS SC SOP-8 | 1302AIS.pdf | |
![]() | Si4750-A10-GM | Si4750-A10-GM SILICON QFN | Si4750-A10-GM.pdf | |
![]() | 78D08AG TO-252 T/R | 78D08AG TO-252 T/R UTC SMD or Through Hole | 78D08AG TO-252 T/R.pdf | |
![]() | AD9610LH | AD9610LH AD CAN12 | AD9610LH.pdf | |
![]() | TDA9847 | TDA9847 PHI DIP-24 | TDA9847.pdf |