창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR48ZTRLPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)48ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 37A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1720pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 91W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | IRFR48ZTRLPBF-ND IRFR48ZTRLPBFTR SP001575902 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR48ZTRLPBF | |
관련 링크 | IRFR48Z, IRFR48ZTRLPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
FES16GTHE3/45 | DIODE GEN PURP 400V 16A TO220AC | FES16GTHE3/45.pdf | ||
MST9251A-LF-165() | MST9251A-LF-165() MSTAR QFP208 | MST9251A-LF-165().pdf | ||
0805 X7R 274 K 500NT | 0805 X7R 274 K 500NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805 X7R 274 K 500NT.pdf | ||
PAL10L8ML/883B | PAL10L8ML/883B ORIGINAL SMD or Through Hole | PAL10L8ML/883B.pdf | ||
LSA67K-J1K2-1 | LSA67K-J1K2-1 OSRAM SMD or Through Hole | LSA67K-J1K2-1.pdf | ||
OSC 5*7 32.768KHZ | OSC 5*7 32.768KHZ FCE SMD or Through Hole | OSC 5*7 32.768KHZ.pdf | ||
LGY2S102MELEZH | LGY2S102MELEZH NICHICONLTD SMD or Through Hole | LGY2S102MELEZH.pdf | ||
7870825 | 7870825 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 7870825.pdf | ||
A50QS100 | A50QS100 FUJI SMD or Through Hole | A50QS100.pdf | ||
JMK212BJ475KG-T ROHS | JMK212BJ475KG-T ROHS ORIGINAL SMD or Through Hole | JMK212BJ475KG-T ROHS.pdf |