창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR48ZPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)48ZPbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR48ZPBF Saber Model IRFR48ZPBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 37A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 50µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1720pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 91W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-PAK(TO-252AA) | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFR48ZPBF SP001564992 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR48ZPBF | |
관련 링크 | IRFR48, IRFR48ZPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
1N5935E3/TR13 | DIODE ZENER 28V 1.5W DO204AL | 1N5935E3/TR13.pdf | ||
K517P | K517P NKK NULL | K517P.pdf | ||
NCP1377BDR2G 1337 | NCP1377BDR2G 1337 ON SOP | NCP1377BDR2G 1337.pdf | ||
HSMG-A100-E82L2 | HSMG-A100-E82L2 AVAGO ROHS | HSMG-A100-E82L2.pdf | ||
B39162B7829C710S09 | B39162B7829C710S09 epcos SMD or Through Hole | B39162B7829C710S09.pdf | ||
PT1228 | PT1228 PPT SMD or Through Hole | PT1228.pdf | ||
SP4-12VDC/12V | SP4-12VDC/12V ORIGINAL SMD or Through Hole | SP4-12VDC/12V.pdf | ||
V1323-1 | V1323-1 QUALCOMM QFN-7 | V1323-1.pdf | ||
62822-1 | 62822-1 GI SOP8 | 62822-1.pdf | ||
F160B3B | F160B3B INTEL BGA | F160B3B.pdf | ||
CH20-0058-S | CH20-0058-S M/A-COM SMD or Through Hole | CH20-0058-S.pdf | ||
UPD75108CW-W02 | UPD75108CW-W02 NEC DIP | UPD75108CW-W02.pdf |