창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3607PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRF(R,U)3607PBF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
설계 리소스 | IRFR3607PBF Saber Model IRFR3607PBF Spice Model | |
PCN 조립/원산지 | Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Wafer Source 11/Nov/2014 Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 56A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 46A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3070pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | SP001571628 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR3607PBF | |
관련 링크 | IRFR36, IRFR3607PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
SIT1602AC-23-33E-40.000000E | OSC XO 3.3V 40MHZ | SIT1602AC-23-33E-40.000000E.pdf | ||
SIT8008AC-83-33E-66.667000Y | OSC XO 3.3V 66.667MHZ OE | SIT8008AC-83-33E-66.667000Y.pdf | ||
DDZ9686Q-7 | DIODE ZENER SOD123 | DDZ9686Q-7.pdf | ||
MB3776APG | MB3776APG FUJITSU SOP-8 | MB3776APG.pdf | ||
MA125-TX | MA125-TX ORIGINAL SOT-263 | MA125-TX.pdf | ||
T9886A | T9886A TOSHIBA QFP | T9886A.pdf | ||
2200UF/50V 18*25 | 2200UF/50V 18*25 Cheng SMD or Through Hole | 2200UF/50V 18*25.pdf | ||
CS9406S | CS9406S ORIGINAL DIP | CS9406S.pdf | ||
LC9200N | LC9200N SANYO QFP | LC9200N.pdf | ||
TSC80C31-16CBPLCC | TSC80C31-16CBPLCC TEMIC SMD or Through Hole | TSC80C31-16CBPLCC.pdf | ||
MIC4424YWM TR | MIC4424YWM TR MICREL SOP-16 | MIC4424YWM TR.pdf | ||
TEA1098AV | TEA1098AV PHI SSOP | TEA1098AV.pdf |