창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFR3411PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFR3411PbF, IRFU3411PbF | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
PCN 조립/원산지 | Warehouse Transfer 29/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 44m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 71nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 130W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | *IRFR3411PBF SP001560590 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFR3411PBF | |
관련 링크 | IRFR34, IRFR3411PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
28R0984-200 | Solid Free Hanging Ferrite Core 170 Ohm @ 100MHz ID 0.709" W x 0.035" H (18.00mm x 0.90mm) OD 0.984" W x 0.303" H (25.00mm x 7.70mm) Length 0.630" (16.00mm) | 28R0984-200.pdf | ||
PT2010FK-070R22L | RES SMD 0.22 OHM 1% 3/4W 2010 | PT2010FK-070R22L.pdf | ||
H81K13BCA | RES 1.13K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H81K13BCA.pdf | ||
CMF2033R000JNEK | RES 33 OHM 1W 5% AXIAL | CMF2033R000JNEK.pdf | ||
0805(10K)/15K | 0805(10K)/15K ORIGINAL SMD | 0805(10K)/15K.pdf | ||
27C014K-15 | 27C014K-15 ORIGINAL DIP | 27C014K-15.pdf | ||
S02143 | S02143 SMK SOP | S02143.pdf | ||
2098-0275-54 | 2098-0275-54 AMP SMD or Through Hole | 2098-0275-54.pdf | ||
4N38.300W | 4N38.300W ISOCOM DIPSOP | 4N38.300W.pdf | ||
MAX1790EUA-TG05 | MAX1790EUA-TG05 MAX SMD or Through Hole | MAX1790EUA-TG05.pdf | ||
UES1V010MDM | UES1V010MDM NICHICON DIP | UES1V010MDM.pdf |