창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR214TRLPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_214 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR214TRLPBF | |
| 관련 링크 | IRFR214, IRFR214TRLPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | AT0402BRD0793K1L | RES SMD 93.1KOHM 0.1% 1/16W 0402 | AT0402BRD0793K1L.pdf | |
![]() | TNPW12101K91BEEN | RES SMD 1.91K OHM 0.1% 1/3W 1210 | TNPW12101K91BEEN.pdf | |
![]() | RP73D1J19R6BTG | RES SMD 19.6 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J19R6BTG.pdf | |
![]() | AZ3843BM | AZ3843BM AZ SOP | AZ3843BM.pdf | |
![]() | B43231H2477M000 | B43231H2477M000 EPCOS SMD | B43231H2477M000.pdf | |
![]() | LT1780INPBF | LT1780INPBF LINEARTECH SMD or Through Hole | LT1780INPBF.pdf | |
![]() | 74LS540N | 74LS540N TI DIP | 74LS540N.pdf | |
![]() | TFDS6501E-TRG | TFDS6501E-TRG ORIGINAL SMD or Through Hole | TFDS6501E-TRG.pdf | |
![]() | HD48L4812FS | HD48L4812FS HITACHI QFP | HD48L4812FS.pdf | |
![]() | W28F800 | W28F800 INTEL TSSOP | W28F800.pdf | |
![]() | SD8272-01 | SD8272-01 SD SMD or Through Hole | SD8272-01.pdf | |
![]() | CSTCE12M0GH5L07-R0 | CSTCE12M0GH5L07-R0 MURATA SMD | CSTCE12M0GH5L07-R0.pdf |