창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR214TRL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_214 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.2A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 1.3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 140pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR214TRL | |
| 관련 링크 | IRFR21, IRFR214TRL 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SS470M016ST | 47µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 4.8 Ohm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | SS470M016ST.pdf | |
![]() | TMC005390R0FE02 | RES CHAS MNT 390 OHM 1% 7.5W | TMC005390R0FE02.pdf | |
![]() | RL0402FR-070R7L | RES SMD 0.7 OHM 1% 1/16W 0402 | RL0402FR-070R7L.pdf | |
![]() | AF1210JR-0715RL | RES SMD 15 OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-0715RL.pdf | |
![]() | MCT06030D4222BP500 | RES SMD 42.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D4222BP500.pdf | |
![]() | LMTZJ8.2A | LMTZJ8.2A LRC DO-35 | LMTZJ8.2A.pdf | |
![]() | LT3493EDCB-3#PBF | LT3493EDCB-3#PBF LINEAR DFN6 | LT3493EDCB-3#PBF.pdf | |
![]() | ER5911T | ER5911T MicrochipTechnolo SMD or Through Hole | ER5911T.pdf | |
![]() | LL2012-FR18J0805-180NH | LL2012-FR18J0805-180NH TOKO SMD or Through Hole | LL2012-FR18J0805-180NH.pdf | |
![]() | CR16CM | CR16CM ORIGINAL TO-220 | CR16CM.pdf | |
![]() | FWIXP421AB | FWIXP421AB INTEL BGA | FWIXP421AB.pdf | |
![]() | ER3M | ER3M ON DO-214AB | ER3M.pdf |