Infineon Technologies IRFR13N20DPBF
- 제조업체 부품 번호
- IRFR13N20DPBF
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 200V 13A DPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
IRFR13N20DPBF 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 793.45111
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 IRFR13N20DPBF 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. IRFR13N20DPBF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IRFR13N20DPBF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- IRFR13N20DPBF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
IRFR13N20DPBF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR13N20DPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRF(R,U)13N20DPbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFR13N20DTRPBF Saber Model IRFR13N20DTRPBF Spice Model | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 830pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | SP001552110 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR13N20DPBF | |
| 관련 링크 | IRFR13N, IRFR13N20DPBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
IRFR13N20DPBF 의 관련 제품
 | URZ2A101MHD | 100µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | URZ2A101MHD.pdf | |
| T550B397M015AH4250 | 390µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 15V Axial 0.281" Dia x 0.641" L (7.14mm x 16.28mm) | T550B397M015AH4250.pdf | |
 | AT-24.000MAGE-T | 24MHz ±30ppm 수정 12pF 50옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-24.000MAGE-T.pdf | |
 | CMF60475R00FKEB70 | RES 475 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60475R00FKEB70.pdf | |
| P51-2000-A-U-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Absolute Female - 7/16" (11.11mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-2000-A-U-MD-5V-000-000.pdf | |
| NAZU101M25V6.3X8NBF | NAZU101M25V6.3X8NBF NIC SMD or Through Hole | NAZU101M25V6.3X8NBF.pdf | |
| IRFSL4410TRPBF | IRFSL4410TRPBF IR N.SO | IRFSL4410TRPBF.pdf | |
| CW667IJ | CW667IJ ORIGINAL SMD or Through Hole | CW667IJ.pdf | |
| 3314-104 | 3314-104 BOURNS SMD | 3314-104.pdf | |
| MBCU32114PF-G-106-EF | MBCU32114PF-G-106-EF F QFP80 | MBCU32114PF-G-106-EF.pdf | |
| OR2T15A-4S240 | OR2T15A-4S240 ORIGINAL QFP | OR2T15A-4S240.pdf | |
| SPH252012H3R3MT | SPH252012H3R3MT ORIGINAL SMD | SPH252012H3R3MT.pdf |