창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR120TRRPBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_120 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-069-2014-Rev-0 23/May/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 4.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 360pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR120TRRPBF | |
| 관련 링크 | IRFR120, IRFR120TRRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | NLFV32T-1R0M-EF | 1µH Shielded Wirewound Inductor 750mA 72 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | NLFV32T-1R0M-EF.pdf | |
![]() | R3000-004 | R3000-004 GW DO-15 | R3000-004.pdf | |
![]() | ABM8-12.000MHZ-E-T | ABM8-12.000MHZ-E-T ABRACON SMD or Through Hole | ABM8-12.000MHZ-E-T.pdf | |
![]() | PKB4110CSI | PKB4110CSI ERICSSON SMD or Through Hole | PKB4110CSI.pdf | |
![]() | NACZF222M10V16X17TR13T2F | NACZF222M10V16X17TR13T2F NIC SMD or Through Hole | NACZF222M10V16X17TR13T2F.pdf | |
![]() | KSA928A-YTA | KSA928A-YTA FAIRCHILD TO-92 | KSA928A-YTA.pdf | |
![]() | 364108K64 | 364108K64 LUMBERG SMD or Through Hole | 364108K64.pdf | |
![]() | FL2400047 | FL2400047 PERICOM SMD or Through Hole | FL2400047.pdf | |
![]() | HCTLS573N | HCTLS573N SAMSUNG DIP20 | HCTLS573N.pdf | |
![]() | 077342 02.0HG 01 | 077342 02.0HG 01 ORIGINAL SMD or Through Hole | 077342 02.0HG 01.pdf | |
![]() | CIB21P330 | CIB21P330 Samsung SMD | CIB21P330.pdf |