창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFR024PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFR,IRFU,SiHFR,SiHFU_024 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 8.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 640pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | D-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFR024PBF | |
| 관련 링크 | IRFR02, IRFR024PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RCS040282R5FKED | RES SMD 82.5 OHM 1% 1/5W 0402 | RCS040282R5FKED.pdf | |
![]() | HVR2500001803JR500 | RES 180K OHM 1/4W 5% AXIAL | HVR2500001803JR500.pdf | |
![]() | 211CC3S2160 | 211CC3S2160 FCIMVL SMD or Through Hole | 211CC3S2160.pdf | |
![]() | MP350-8546 | MP350-8546 ORIGINAL CAN6 | MP350-8546.pdf | |
![]() | M53242P | M53242P MIT DIP | M53242P.pdf | |
![]() | OXE800SE | OXE800SE OXFORD QFP | OXE800SE.pdf | |
![]() | TPSW476M010S0150 | TPSW476M010S0150 AVX SMD or Through Hole | TPSW476M010S0150.pdf | |
![]() | 2N970A | 2N970A ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N970A.pdf | |
![]() | RD2.0L | RD2.0L NEC/RENESAS SMD or Through Hole | RD2.0L.pdf | |
![]() | GP2Y0A41SK | GP2Y0A41SK SHARP DIP-3 | GP2Y0A41SK.pdf | |
![]() | RC2512JR-072R4L 2512 2.4R | RC2512JR-072R4L 2512 2.4R ORIGINAL SMD or Through Hole | RC2512JR-072R4L 2512 2.4R.pdf | |
![]() | DSP2AE-L2-3V | DSP2AE-L2-3V ORIGINAL SMD or Through Hole | DSP2AE-L2-3V.pdf |