창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFP350PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFP350 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-003-2014-Rev-0 14/Feb/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 9.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | *IRFP350PBF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFP350PBF | |
| 관련 링크 | IRFP35, IRFP350PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | LA070URD32LI0400 | FUSE SQ 400A 700VAC RECTANGULAR | LA070URD32LI0400.pdf | |
![]() | ERJ-S1TF4993U | RES SMD 499K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF4993U.pdf | |
![]() | A104G | A104G N/A ZIP | A104G.pdf | |
![]() | TDA8356 | TDA8356 NXP TO220 | TDA8356 .pdf | |
![]() | TLV320AIC27C | TLV320AIC27C TI QFP | TLV320AIC27C.pdf | |
![]() | TPS71728DCKTG4 | TPS71728DCKTG4 TI SC70-5 | TPS71728DCKTG4.pdf | |
![]() | VI-J4B-EX | VI-J4B-EX VICOR SMD or Through Hole | VI-J4B-EX.pdf | |
![]() | DS33Q01K01 | DS33Q01K01 MAX QFN | DS33Q01K01.pdf | |
![]() | NCV8606MN28T2G | NCV8606MN28T2G ONSemiconductor 6-DFN | NCV8606MN28T2G.pdf | |
![]() | M471B2873FHS-CF8 | M471B2873FHS-CF8 Samsung SMD or Through Hole | M471B2873FHS-CF8.pdf | |
![]() | SC1538CS-25 | SC1538CS-25 SEMTECH SOP-8 | SC1538CS-25.pdf | |
![]() | MK1714-01RLF. | MK1714-01RLF. ICS SSOP-16 | MK1714-01RLF..pdf |