창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFP350PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFP350 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-003-2014-Rev-0 14/Feb/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 400V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 9.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 25 | |
다른 이름 | *IRFP350PBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFP350PBF | |
관련 링크 | IRFP35, IRFP350PBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | HQCEJM361GAH6A | 360pF 3600V(3.6kV) 세라믹 커패시터 P90 3838(9797 미터법) 0.380" L x 0.380" W(9.65mm x 9.65mm) | HQCEJM361GAH6A.pdf | |
![]() | 18121C225K4Z2A | 2.2µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.180" L x 0.126" W(4.57mm x 3.20mm) | 18121C225K4Z2A.pdf | |
![]() | 416F48033AAT | 48MHz ±30ppm 수정 10pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48033AAT.pdf | |
![]() | MZ2L-50 | MZ2L-50 TF DIP2 | MZ2L-50.pdf | |
![]() | 443A | 443A ORIGINAL SOP | 443A.pdf | |
![]() | FF12-18A-R11A | FF12-18A-R11A DDK Connector | FF12-18A-R11A.pdf | |
![]() | SM5610K5S | SM5610K5S NPC SOP8 | SM5610K5S.pdf | |
![]() | O1NM43 | O1NM43 ORIGINAL CAN3 | O1NM43.pdf | |
![]() | NX1255GA7.3728MHZ | NX1255GA7.3728MHZ NDK SMD or Through Hole | NX1255GA7.3728MHZ.pdf | |
![]() | LC867112B | LC867112B SANYO QFP | LC867112B.pdf | |
![]() | TSW-150-07-G-S | TSW-150-07-G-S SAMTEC SMD or Through Hole | TSW-150-07-G-S.pdf |