창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFL4105PBF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFL4105PbF | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) | |
| 설계 리소스 | IRFL4105TR Saber Model IRFL4105TR Spice Model | |
| PCN 설계/사양 | SOT-223 FET Wire 04/Jul/2013 SOT-223 Cu Wire 08/Oct/2013 | |
| PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | HEXFET® | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.7A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 3.7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
| 표준 포장 | 80 | |
| 다른 이름 | *IRFL4105PBF SP001554918 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFL4105PBF | |
| 관련 링크 | IRFL41, IRFL4105PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 2987309 | RELAY | 2987309.pdf | |
![]() | LTVK | LTVK ORIGINAL SMD | LTVK.pdf | |
![]() | P214CH03FN0 | P214CH03FN0 WESTCODE SMD or Through Hole | P214CH03FN0.pdf | |
![]() | 0735+PB | 0735+PB Pctel BC807-40LT1 | 0735+PB.pdf | |
![]() | FMC1/C1 | FMC1/C1 ROHM SOT-153 | FMC1/C1.pdf | |
![]() | TS80C51RD2 | TS80C51RD2 AT PLCC | TS80C51RD2.pdf | |
![]() | LTC2864S-2#PBF | LTC2864S-2#PBF LINEAR SOIC | LTC2864S-2#PBF.pdf | |
![]() | TA50N25T | TA50N25T TO- SMD or Through Hole | TA50N25T.pdf | |
![]() | AD7983BRMZ-RL7 | AD7983BRMZ-RL7 ADI SMD or Through Hole | AD7983BRMZ-RL7.pdf | |
![]() | 5962-9054302MQA | 5962-9054302MQA HARRIS DIP-40 | 5962-9054302MQA.pdf | |
![]() | SCX6212SSC/V4 | SCX6212SSC/V4 NSC PLCC-20 | SCX6212SSC/V4.pdf |