창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFL014TRPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFL014 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 설계/사양 | Wire/Mold Compound Update 31/Aug/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1522 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 1.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-261-4, TO-261AA | |
공급 장치 패키지 | SOT-223 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | IRFL014PBFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFL014TRPBF | |
관련 링크 | IRFL014, IRFL014TRPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C1608NP02A821J080AA | 820pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608NP02A821J080AA.pdf | |
![]() | 1537-754J | 6.8mH Shielded Inductor 30mA 153 Ohm Axial | 1537-754J.pdf | |
![]() | Y16245K49000T9R | RES SMD 5.49KOHM 0.01% 1/5W 0805 | Y16245K49000T9R.pdf | |
![]() | CRCW06034K49FKEA | RES SMD 4.49K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06034K49FKEA.pdf | |
![]() | SA101 | SA101 ORIGINAL SOP4 | SA101.pdf | |
![]() | TACL155M004RTA | TACL155M004RTA AVX SMD | TACL155M004RTA.pdf | |
![]() | XCR3256XL-7FTG256I | XCR3256XL-7FTG256I XILINX BGA256 | XCR3256XL-7FTG256I.pdf | |
![]() | LG-JT01、LG-JT02 | LG-JT01、LG-JT02 ORIGINAL SMD or Through Hole | LG-JT01、LG-JT02.pdf | |
![]() | PEI333J100ASI | PEI333J100ASI PAC SMD or Through Hole | PEI333J100ASI.pdf | |
![]() | SKR12 | SKR12 Semikron module | SKR12.pdf | |
![]() | PC357N1TJ00F/C | PC357N1TJ00F/C SHARP SMD4 | PC357N1TJ00F/C.pdf |