창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFIBF30GPBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFIBF30G | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1524 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.9A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7옴 @ 1.1A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 78nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 35W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | *IRFIBF30GPBF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFIBF30GPBF | |
관련 링크 | IRFIBF3, IRFIBF30GPBF 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SL12-E3/61T | DIODE SCHOTTKY 20V 1.5A DO214AC | SL12-E3/61T.pdf | |
![]() | Y162512K1000A0W | RES SMD 12.1KOHM 0.05% 0.3W 1206 | Y162512K1000A0W.pdf | |
![]() | MJHSR88GF430 | MJHSR88GF430 MAXCONN SMD or Through Hole | MJHSR88GF430.pdf | |
![]() | D485505G-25-E2 | D485505G-25-E2 NEC SOP | D485505G-25-E2.pdf | |
![]() | ST777ACD | ST777ACD STM SOP8 | ST777ACD.pdf | |
![]() | 133.3701-231 | 133.3701-231 JOHNSON/WSI SMD or Through Hole | 133.3701-231.pdf | |
![]() | MTP30N06V2 | MTP30N06V2 ORIGINAL SMD or Through Hole | MTP30N06V2.pdf | |
![]() | MC315G | MC315G MOT CAN10 | MC315G.pdf | |
![]() | 3321F-1-102 | 3321F-1-102 muRata SMD or Through Hole | 3321F-1-102.pdf | |
![]() | TB31304F | TB31304F TOSHIBA QFP52 | TB31304F.pdf | |
![]() | 222233840105- | 222233840105- VISHAY DIP | 222233840105-.pdf |