창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IRFI830G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IRFI830G | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 1.9A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 610pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 35W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 전체 팩(Pack), 절연 탭 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | *IRFI830G Q932707 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IRFI830G | |
| 관련 링크 | IRFI, IRFI830G 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | C1812C333MCRACTU | 0.033µF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C333MCRACTU.pdf | |
![]() | MKP385320085JC02R0 | 0.02µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial | MKP385320085JC02R0.pdf | |
![]() | 1330R-26F | 1.8µH Unshielded Inductor 480mA 300 mOhm Max 2-SMD | 1330R-26F.pdf | |
![]() | RSF200JB-73-180K | RES 180K OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-180K.pdf | |
![]() | K6R4016C1B-TC12 | K6R4016C1B-TC12 SAMSUNG TSSOP44 | K6R4016C1B-TC12.pdf | |
![]() | BZV85-C3V9 | BZV85-C3V9 Philips reel | BZV85-C3V9.pdf | |
![]() | 2SK170-GR | 2SK170-GR ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SK170-GR.pdf | |
![]() | ZR36707 36768 | ZR36707 36768 ORIGINAL SMD or Through Hole | ZR36707 36768.pdf | |
![]() | NF570I-SLI-N-A2 | NF570I-SLI-N-A2 NVIDIA BGA | NF570I-SLI-N-A2.pdf | |
![]() | BCM5704CKFBG P20 | BCM5704CKFBG P20 BROADCOM BGA | BCM5704CKFBG P20.pdf | |
![]() | T0A | T0A ORIGINAL MSOP10 | T0A.pdf |